IPDiA

IPDiA's primary objective is to focus on two main axes: Integrated Devices for high brightness LEDs and Integrated Passive Devices for new markets such as medical, industrial, aerospace and defense. IPDiA's technological lead in components for lighting, LEDs and integrated passive devices enables the company to capitalize on this know-how and earned IPDiA its position as a major player on the world market.

型號	品牌	封裝	數(shù)量	描述
93512442H622-T1A	IPDiA	0505	100	硅電容器 LoProfile SiliconCap 220nF 0505 BV11 Al
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.22 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C...
93512442H622-T3A	IPDiA			硅電容器 ETSC Embed'd Wirebnd Temp Silicon Cap
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：935.124.42H.622，...
93512442S710-T1A	IPDiA	1208	95	硅電容器 LoProfile SiliconCap 1uF 1208 BV11 Al
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，封裝...
93512442S710-T3A	IPDiA	1208		硅電容器 LoProfile SiliconCap 1uF 1208 BV11 Al
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，封裝...
93512442Y733-T1A	IPDiA	1616	99	硅電容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
93512442Y733-T3A	IPDiA	1616		硅電容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
93512542F610-T1A	IPDiA	0404	100	硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 0404 100nF BD11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
93512542F610-T3A	IPDiA	0404	90	硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 0404 100nF BD11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：12 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
93512542H622-T1A	IPDiA	0505	100	硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 0505 220nF BD11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.22 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250...
93512542H622-T3A	IPDiA	0505	100	硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 0505 220nF BD11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.22 uF，容差：15 %，電壓額定值：12 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250...
93512542S710-T1A	IPDiA	1208	75	硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 1208 1uF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 C，...
93512542S710-T3A	IPDiA	1208	89	硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 1208 1uF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：12 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 C，...
93512542Y733-T1A	IPDiA	1616	100	硅電容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
93512542Y733-T3A	IPDiA	1616		硅電容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
935131423510-T1N	IPDiA	0201	100	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 10nF 0201 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150...
935131423510-T3N	IPDiA	0201		硅電容器 HiStabiltySiliconCap 0201 10nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131424310-T1N	IPDiA	0402	200	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131424310-T3A	IPDiA	0402		硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 Al
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131424310-T3N	IPDiA	0402		硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131424347-T1N	IPDiA	0402	100	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：470 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...

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