中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：180 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：300 毫歐 @ 400mA，4.5V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：700mA（Ta）
漏源電壓（Vdss）：20 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Torex Semiconductor Ltd
以上是XP152A12C0MR的詳細(xì)信息，包括XP152A12C0MR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
