中文參數(shù)如下：
：125°C（TJ）
功率耗散（最大值）：600mW（Ta）
FET 功能：肖特基二極管（隔離式）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：±15V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：450 毫歐 @ 800mA，4V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：1.2A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：12 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Panasonic Electronic Components
以上是XN0NE9200L的詳細信息，包括XN0NE9200L廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
