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VS-GT100TP60N

廠家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝:
 INT-A-PAK
數(shù)量:
 4104  
說明:
 IGBT MOD 600V 160A INT-A-PAK
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VS-GT100TP60N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝封裝/外殼:INT-A-PAK(3 + 4)
安裝類型:底座安裝
工作溫度:175°C(TJ)
NTC 熱敏電阻:無
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時輸入電容 (Cies):7.71 nF @ 30 V
電流 - 集電極截止(最大值):5 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,100A
功率 - 最大值:417 W
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):160 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V
配置:半橋
IGBT 類型:溝道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是VS-GT100TP60N的詳細(xì)信息,包括VS-GT100TP60N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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