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VS-ETF150Y65N

廠家：
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：
 模塊
數(shù)量：
 3986  
說(shuō)明：
 IGBT MOD 650V 201A 600W
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VS-ETF150Y65N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類(lèi)型：-
工作溫度：175°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：-
電流 - 集電極截止（最大值）：-
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.17V @ 15V，150A
功率 - 最大值：600 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：201 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
配置：半橋逆變器
IGBT 類(lèi)型：NPT
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：FRED Pt?
系列：盒
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是VS-ETF150Y65N的詳細(xì)信息，包括VS-ETF150Y65N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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