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VS-3C06ET07T-M3

廠家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：: TO-220AC
數(shù)量：: 8744
說(shuō)明：: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

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VS-3C06ET07T-M3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-220AC
封裝/外殼：TO-220-2
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時(shí)電容：255pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：35 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：0 ns
速度：無(wú)恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 6 A
電流 - 平均整流 (Io)：6A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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