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VNS3NV04DTR-E

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 3672  
說明:
 MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni
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VNS3NV04DTR-E-8-SOIC(0.154

VNS3NV04DTR-E PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:2500
功率耗散:4 W
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :5 S
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):120 m Ohms
漏極連續(xù)電流:3.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:45 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是VNS3NV04DTR-E的詳細(xì)信息,包括VNS3NV04DTR-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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