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VNS1NV04DPTR-E

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 8739  
說明:
 MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
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VNS1NV04DPTR-E-8-SOIC(0.154

VNS1NV04DPTR-E PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

上升時間:170 ns
功率耗散:4 W
柵極電荷 Qg:5 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :2 S
下降時間:200 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):250 mOhms
漏極連續(xù)電流:30 uA
汲極/源極擊穿電壓:45 V
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是VNS1NV04DPTR-E的詳細信息,包括VNS1NV04DPTR-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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