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VND7NV04TR-E

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 8449
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch 42V 6A OmniFET

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VND7NV04TR-E-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

VND7NV04TR-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：470 ns
功率耗散：60 W
柵極電荷 Qg：18 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：9 S
下降時(shí)間：350 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：60 mOhms
漏極連續(xù)電流：30 uA
汲極/源極擊穿電壓：45 V
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是VND7NV04TR-E的詳細(xì)信息，包括VND7NV04TR-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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