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V1F22-M3/I

廠家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：: DO-219AB（SMF）
數(shù)量：: 198
說明：: DIODE SCHOTTKY 200V 1A DO219AB

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V1F22-M3/I PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：DO-219AB（SMF）
封裝/外殼：DO-219AB
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：75pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：35 μA @ 200 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：880 mV @ 1 A
電流 - 平均整流 (Io)：1A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：200 V
技術(shù)：肖特基
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是V1F22-M3/I的詳細(xì)信息，包括V1F22-M3/I廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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