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TTA0002(Q)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-3P(L)
數(shù)量:
 1449  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP -35A 180W 80 HFE -2V Trans
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TTA0002(Q)-TO-3P(L)圖片

TTA0002(Q) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應商器件:
封裝封裝/外殼:TO-3PL
安裝類型:通孔
工作溫度:150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:30MHz
功率 - 最大值:180 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):80 @ 1A,5V
電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):2V @ 900mA,9A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):160 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):18 A
晶體管類型:PNP
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TTA0002(Q)的詳細信息,包括TTA0002(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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    信號調(diào)節(jié) Imp:50ohms IL:1.0dB ThinFilm Wound Balun

  • TTB12G51-900-2P圖片

    TTB12G51-900-2P

    信號調(diào)節(jié) Imp:50ohms IL:0.7dB ThinFilm Wound Balun

  • 暫無電子元件圖

    TTB16G11-201-4P

    信號調(diào)節(jié) Imp:100ohms IL:3.5dB ThinFilm Wound Balun

  • 暫無電子元件圖

    TTB16G11-900-4P

    信號調(diào)節(jié) Imp:100ohms IL:3.0dB ThinFilm Wound Balun

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