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TPV8100B

廠家：: Advanced Semiconductor, Inc.
封裝：: Case 398-03
數量：: 1484
說明：: 射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

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TPV8100B PDF參數資料

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中文參數如下：

晶體管極性：NPN
安裝風格：Screw
最小工作溫度：- 65 C
最大工作溫度：+ 200 C
包裝形式：Tray
封裝形式：Case 398-03
功率耗散：215 W
集電極連續(xù)電流：12 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：30 V
最大工作頻率：860 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min：30
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.

以上是TPV8100B的詳細信息，包括TPV8100B廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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