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TPS1100DR

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 7047
說(shuō)明：: MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET

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TPS1100DR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：10 ns
功率耗散：791 mW
最小工作溫度：- 40 C
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：400 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：1.6 A
閘/源擊穿電壓：- 15 V, 2 V
汲極/源極擊穿電壓：15 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是TPS1100DR的詳細(xì)信息，包括TPS1100DR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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