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TPS1100D

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 7398  
說明:
 MOSFET MOSFET 10ns RT
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TPS1100D-8-SOIC(0.154

TPS1100D PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:13 ns
工廠包裝數(shù)量:75
上升時間:10 ns
功率耗散:0.791 W
最小工作溫度:- 40 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :2.5 S
下降時間:10 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.18 Ohms
漏極連續(xù)電流:+/- 1.6 A
閘/源擊穿電壓:- 15 V
汲極/源極擊穿電壓:- 15 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments

以上是TPS1100D的詳細信息,包括TPS1100D廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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