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TPH4R50ANH1,LQ

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: 8-SOP Advance（5x5.75）
數(shù)量：: 4167
說明：: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)

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TPH4R50ANH1,LQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：800mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5200 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：58 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：4.5 毫歐 @ 46A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：92A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：U-MOSVIII-H
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TPH4R50ANH1,LQ的詳細(xì)信息，包括TPH4R50ANH1,LQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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