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TPH2R506PL,L1Q

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: 8-SOP Advance（5x5）
數(shù)量：: 4185
說明：: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

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TPH2R506PL,L1Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：132W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：5435 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：60 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 500μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.4 毫歐 @ 30A，4.5V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：100A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：U-MOSIX-H
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TPH2R506PL,L1Q的詳細(xì)信息，包括TPH2R506PL,L1Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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