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TN2529K6-G

廠家：: Supertex
封裝：: QFN EP
數(shù)量：: 1386
說明：: MOSFET NCh ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS

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TN2529K6-G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：490
上升時(shí)間：10 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：20 ns
包裝形式：Tray
封裝形式：QFN EP
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.41 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：290 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Supertex

以上是TN2529K6-G的詳細(xì)信息，包括TN2529K6-G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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