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TL032IDR

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 3834
說明：: 運算放大器 - 運放 Dual Enhanced JFET Low-Power Precision

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TL032IDR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

電壓增益 dB：82.61 dB
技術(shù)：BiFET
電源電流：0.56 mA
工廠包裝數(shù)量：2500
最小工作溫度：- 40 C
最小雙重電源電壓：+/- 5 V
最大雙重電源電壓：+/- 15 V
增益帶寬生成：1.1 MHz
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 85 C
輸出電流：40 mA
關(guān)閉：No
轉(zhuǎn)換速度：5.1 V/us
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
工作電源電壓：10 V to 30 V, +/- 5 V to +/- 15 V
輸入偏流（最大值）：200 pA
輸入補償電壓：0.8 mV
共模抑制比（最小值）：75 dB
通道數(shù)量：2
RoHS：是
產(chǎn)品種類：運算放大器 - 運放
制造商：Texas Instruments

以上是TL032IDR的詳細信息，包括TL032IDR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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