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TK3R1E04PL,S1X

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 TO-220
數(shù)量:
 3195  
說明:
 MOSFET N-CH 40V 100A TO220
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TK3R1E04PL,S1X-TO-220圖片

TK3R1E04PL,S1X PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:175°C(TJ)
功率耗散(最大值):87W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):4670 pF @ 20 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):63.4 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 500μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):3.8 毫歐 @ 30A,4.5V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):100A(Tc)
漏源電壓(Vdss):40 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:U-MOSIX-H
系列:管件
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK3R1E04PL,S1X的詳細(xì)信息,包括TK3R1E04PL,S1X廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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