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TK32E12N1,S1X

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 8173
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

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TK32E12N1,S1X PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：43 ns
上升時(shí)間：14 ns
功率耗散：98 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：34 nC
下降時(shí)間：14 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：11 mOhms
漏極連續(xù)電流：60 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：120 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TK32E12N1,S1X的詳細(xì)信息，包括TK32E12N1,S1X廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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