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TK1R4S04PB,LXHQ

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: DPAK+
數(shù)量：: 4824
說明：: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK

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TK1R4S04PB,LXHQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：180W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5500 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：103 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 500μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.9 毫歐 @ 60A，6V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：U-MOSIX-H
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK1R4S04PB,LXHQ的詳細信息，包括TK1R4S04PB,LXHQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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