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中文參數(shù)如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：139W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1300 pF @ 300 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：35 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 690μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：280 毫歐 @ 6.9A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13.7A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：DTMOSIV
系列：卷帶（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
以上是TK14V65W,LQ的詳細(xì)信息，包括TK14V65W,LQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
