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SUP40N10-30-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 3564  
說明:
 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
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SUP40N10-30-GE3-TO-220-3圖片

SUP40N10-30-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:38.5A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:60nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :2400pF @ 25V
功率 - 最大:3.1W
安裝類型:通孔

以上是SUP40N10-30-GE3的詳細(xì)信息,包括SUP40N10-30-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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