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SUM110N06-3M9H-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 3708  
說明:
 MOSFET 60V 110A 375W 3.9mohm @ 10V
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SUM110N06-3M9H-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:75 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時間:160 ns
功率耗散:3.75 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:14 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0039 Ohms
漏極連續(xù)電流:110 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUM110N06-3M9H-E3的詳細信息,包括SUM110N06-3M9H-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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