點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：50 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：115 ns
功率耗散：3.7 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：80 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-263-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：8 mOhms
漏極連續(xù)電流：85 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUB85N08-08-E3的詳細(xì)信息，包括SUB85N08-08-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

IPB240N03S4LR9ATMA1

IPD040N08NF2SATMA1

FDMC86260ET150

SIHA6N65E-E3

CSD18531Q5AT

IPB043N10NF2SATMA1

MCB200N06Y-TP

STH150N10F7-2

SIR572DP-T1-RE3

NVMYS2D9N04CLTWG