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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STS8C5H30L

STS8C5H30L

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 4293
說(shuō)明：: MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp

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STS8C5H30L PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：23 ns, 125 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：14.5 ns, 35 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：7 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：8.5 S, 10 S
下降時(shí)間：8 ns, 35 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.022 Ohms
漏極連續(xù)電流：8 A, - 5.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STS8C5H30L的詳細(xì)信息，包括STS8C5H30L廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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