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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STP12NB30

STP12NB30

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 7488
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch 300 Volt 12 Amp

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STP12NB30 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：10 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時(shí)間：8 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：300 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STP12NB30的詳細(xì)信息，包括STP12NB30廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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