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STI11NM60ND

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
數(shù)量：: 8172
說明：: MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

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STI11NM60ND-TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA圖片

STI11NM60ND PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：50 ns
上升時間：7 ns
功率耗散：90 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：9 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.45 Ohms
漏極連續(xù)電流：10 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STI11NM60ND的詳細信息，包括STI11NM60ND廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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