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STGWT60H65DFB

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-3P
數(shù)量：: 6993
說明：: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

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STGWT60H65DFB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：60 ns
測(cè)試條件：400V，60A，5 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：51ns/160ns
柵極電荷：306 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：1.09mJ（開），626μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：375 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，60A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：240 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STGWT60H65DFB的詳細(xì)信息，包括STGWT60H65DFB廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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