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STGE200NB60S

廠(chǎng)家:
  STMicroelectronics
封裝:
 ISOTOP
數(shù)量:
 7047  
說(shuō)明:
 IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 150Amp
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STGE200NB60S-ISOTOP圖片

STGE200NB60S PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠(chǎng)包裝數(shù)量:10
安裝風(fēng)格:Through Hole
最小工作溫度:- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic:200 A
包裝形式:Tube
封裝形式:ISOTOP-4
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:600 W
柵極—射極漏泄電流:+/- 100 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流:200 A
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓:1.2 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
配置:Single Dual Emitter
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):IGBT 晶體管
制造商:STMicroelectronics

以上是STGE200NB60S的詳細(xì)信息,包括STGE200NB60S廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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