STGD6M65DF2

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 6912
說(shuō)明：: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

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STGD6M65DF2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：140 ns
測(cè)試條件：400V，6A，22 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：15ns/90ns
柵極電荷：21.2 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：36μJ（開），200μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：88 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，6A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：24 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：12 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：M
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：STMicroelectronics

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