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STGD3NB60SDT4

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 6768
說明：: IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3 Amp

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STGD3NB60SDT4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2500
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic：6 A
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：48 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 100 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：6 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：1.5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
制造商：STMicroelectronics

以上是STGD3NB60SDT4的詳細(xì)信息，包括STGD3NB60SDT4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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