STGB4M65DF2

廠(chǎng)家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 7524
說(shuō)明：: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

一、本商品被瀏覽0次.

STGB4M65DF2 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：133 ns
測(cè)試條件：400V，4A，47 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：12ns/86ns
柵極電荷：15.2 nC
輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量：40μJ（開(kāi)），136μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：68 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：16 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：8 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：M
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：STMicroelectronics

以上是STGB4M65DF2的詳細(xì)信息，包括STGB4M65DF2廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：

APTGL90DDA120T3G

APTGLQ75H65T1G

APTGT50H60RT3G

FS3L25R12W2H3B11BPSA1

MIXA60W1200TED

BSM15GD120DLCE3224BOSA1

FS25R12KT3BPSA1

DF225R12W2H3FB11BPSA1