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STGB35N35LZT4

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 6255
說明：: IGBT 晶體管 EAS 350 mJ 350 V Int clamped IGBT

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STGB35N35LZT4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

安裝風格：SMD/SMT
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
功率耗散：176 W
柵極—射極漏泄電流：625 uA
在25 C的連續(xù)集電極電流：40 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：16 V
集電極—射極飽和電壓：1.15 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：345 V
RoHS：是
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
制造商：STMicroelectronics

以上是STGB35N35LZT4的詳細信息，包括STGB35N35LZT4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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