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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STE180NE10

STE180NE10

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: ISOTOP?
數(shù)量：: 3906
說明：: MOSFET N-Ch 100 Volt 180 A

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STE180NE10 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：430 ns
工廠包裝數(shù)量：10
上升時(shí)間：600 ns
功率耗散：360 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：30 S
下降時(shí)間：440 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：ISOTOP
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.006 Ohms
漏極連續(xù)電流：180 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STE180NE10的詳細(xì)信息，包括STE180NE10廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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