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STE110NS20FD

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: ISOTOP
數(shù)量：: 3897
說明：: MOSFET N-Ch 200 Volt 110 A

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STE110NS20FD PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：245 ns
工廠包裝數(shù)量：10
上升時間：130 ns
功率耗散：500 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：30 S
下降時間：140 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：ISOTOP
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.024 Ohms
漏極連續(xù)電流：110 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STE110NS20FD的詳細信息，包括STE110NS20FD廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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