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SSW10N60BTM

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263
數(shù)量:
 8388  
說明:
 MOSFET N-CH/600V/7A/1.2OHM
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SSW10N60BTM-TO-263圖片

SSW10N60BTM PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:185 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時間:100 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:115 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.8 Ohms
漏極連續(xù)電流:9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是SSW10N60BTM的詳細(xì)信息,包括SSW10N60BTM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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