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SSI4N60BTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK
數(shù)量：: 6840
說明：: MOSFET NCh/600V/4a/2.5Ohm

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SSI4N60BTU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：70 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：55 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：4.7 S
下降時間：55 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.5 Ohms
漏極連續(xù)電流：4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SSI4N60BTU的詳細(xì)信息，包括SSI4N60BTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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