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SQ2361EES-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-23-3（TO-236）
數(shù)量：: 3861
說明：: MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V

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SQ2361EES-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SQ2361EES-GE3
上升時(shí)間：8 ns
功率耗散：2 W
柵極電荷 Qg：11.2 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：5 S
下降時(shí)間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.115 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 2.5 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQ2361EES-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SQ2361EES-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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