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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SP8M8TB

SP8M8TB

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 963
說明：: MOSFET N+P 30V 6A/4.5A 8-SOIC

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SP8M8TB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型N 和 P 溝道
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C30 毫歐 @ 6A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs7.2nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6A, 4.5A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 520pF @ 10V
功率 - 最大2W
安裝類型表面貼裝

以上是SP8M8TB的詳細信息，包括SP8M8TB廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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