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SP8M10TB

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 801
說(shuō)明：: MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC

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SP8M10TB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 7A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）-
閘電荷(Qg) @ Vgs8.4nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7A, 4.5A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 600pF @ 10V
功率 - 最大2W
安裝類(lèi)型表面貼裝

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