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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SP8J2TB

SP8J2TB

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: -
數(shù)量：: 1918
說明：: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC

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SP8J2TB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C56 毫歐 @ 4.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs8.5nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.5A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 850pF @ 10V
功率 - 最大2W
安裝類型表面貼裝

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