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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SP8J1TB

SP8J1TB

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 531
說明：: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC

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SP8J1TB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型2 個 P 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C42 毫歐 @ 5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）-
閘電荷(Qg) @ Vgs16nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1400pF @ 10V
功率 - 最大2W
安裝類型表面貼裝

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