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SIR401DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量:
 3697  
說明:
 MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III
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SIR401DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIR401DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號別名:SIR401DP-GE3
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):3.2 mOhms at 10 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIR401DP-T1-GE3的詳細信息,包括SIR401DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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