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SIM400-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-923
數(shù)量：: 6705
說明：: MOSFET 60V 0.35A 1.9W 3.9ohms @ 10V

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SIM400-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIM400-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：8.5 ns
上升時間：10 ns
功率耗散：1.9 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：1.1 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：0.15 S
下降時間：8.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-923
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：8 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.35 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIM400-T1-GE3的詳細信息，包括SIM400-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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