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SIJ482DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數(shù)量：: 5373
說明：: MOSFET 80V 6.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

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SIJ482DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIJ482DP-GE3
功率耗散：69.4 W
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8L
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6.2 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：60 A
閘/源擊穿電壓：2.7 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIJ482DP-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIJ482DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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