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SIJ458DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量:
 2943  
說明:
 MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
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SIJ458DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIJ458DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.2 毫歐 @ 20A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:60A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:122nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :4810pF @ 15V
功率 - 最大:69.4W
安裝類型:表面貼裝

以上是SIJ458DP-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SIJ458DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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