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SI9945AEY-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 SOIC-8 Narrow
數(shù)量：
 5652  
說明：
 MOSFET 60V 3.7A 2.4W 80mohm @ 10V
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SI9945AEY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI9945AEY-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：21 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：10 ns
功率耗散：2.4 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：20 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：11 S
下降時(shí)間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：80 mOhms
漏極連續(xù)電流：3.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI9945AEY-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI9945AEY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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