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SI8817DB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-XFBGA
數(shù)量：: 6445
說明：: MOSFET -20V 76mOhm@4.5V 2.9A P-Ch G-III

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SI8817DB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

商標(biāo)名：P-Channel Gen III
功率耗散：0.9 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：7.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：5 S
包裝形式：Reel
封裝形式：MICRO FOOT 0.8 x 0.8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：76 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：- 2.9 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8817DB-T2-E1的詳細(xì)信息，包括SI8817DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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