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SI8812DB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-UFBGA
數(shù)量：: 9426
說(shuō)明：: MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V

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SI8812DB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

商標(biāo)名：Micro Foot
功率耗散：0.9 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：6.3 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：12 S
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-4
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.59 Ohms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：3.2 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8812DB-T2-E1的詳細(xì)信息，包括SI8812DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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